MODUL MOSFET SILIKON KARBIDA 1200V DAN 1700V TOSHIBA YANG BAHARU DILANCARKAN AKAN MENYUMBANG KEPADA PERALATAN PERINDUSTRIAN YANG LEBIH KECIL DAN LEBIH CEKAP

KAWASAKI, Jepun, 26 Jan (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  (“Toshiba”) telah melancarkan dua Modul Dwi MOSFET silikon karbida (SiC): “MG600Q2YMS3,” dengan satu penarafan voltan 1200V dan penarafan arus aliran 600A; dan “MG400V2YMS3,” dengan satu penarafan voltan 1700V dan penarafan arus aliran 400A. Produk Toshiba pertama dengan penarafan voltan ini, mereka menyertai MG800FXF2YMS3 yang dikeluarkan sebelum ini dalam satu barisan bagi peranti  1200V, 1700V dan 3300V.

Siaran akhbar ini mempunyai ciri-ciri multimedia. Lihat siaran lengkap di sini:
https://www.businesswire.com/news/home/20220125005489/en/

Modul baharu itu mempunyai keserasian pemasangan dengan modul IGBT silikon (Si) yang digunakan secara meluas. Ciri-ciri kehilangan tenaga yang rendah memenuhi keperluan bagi kecekapan yang lebih tinggi dan pengurangan saiz dalam peralatan perindustrian, seperti penukar dan penyongsang untuk kenderaan kereta api, dan sistem penjanaan kuasa tenaga boleh diperbaharui.

Penggunaan

• Penyongsang dan penukar untuk kereta api
• Sistem penjanaan kuasa tenaga boleh diperbaharui
• Peralatan kawalan motor
• Penukar DC-DC berfrekuensi tinggi

Ciri-ciri

• Pemasangan yang serasi dengan modul Si IGBT
• Kerugian yang lebih rendah daripada modul Si IGBT

MG600Q2YMS3
V_DS(on)sense =0.9V (jenis) @I_D=600A, T_ch=25°C
E_on=25mJ (jenis), E_off=28mJ (jenis) @V_DS=600V, I_D=600A, T_ch=150°C

MG400V2YMS3
V_DS(on)sense=0.8V (jenis) @I_D=400A, T_ch=25°C
E_on=28mJ (jenis), E_off=27mJ (jenis) @V_DS=900V, I_D=400A, T_ch=150°C

• Termistor NTC terbina dalam 

http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=15504