KAWASAKI, Jepun, 14 Jun (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah mengembangkan barisan MOSFET kuasa saluran N yang direka dengan proses generasi terkini[1], dengan struktur simpangan super 600V sesuai untuk pusat data, bekalan kuasa pensuisan dan penyesuai kuasa bagi penjana fotovoltaik. Produk baharu, "TK055U60Z1," ialah produk 600V pertama dalam siri DTMOSVI. Penghantaran bermula pada hari ini.
Dengan mengoptimumkan reka bentuk dan proses get, produk siri DTMOSVI 600V mengurangkan Dalam rintangan punca saliran setiap unit keluasan sebanyak kira-kira 13% dan Dalam rintangan punca saliran × cas saliran get, angka merit untuk prestasi MOSFET, sebanyak kira-kira 52%, berbanding produk siri DTMOSIV-H generasi semasa Toshiba dengan pengkadaran voltan punca saliran yang sama. Ini memastikan siri tersebut mencapai kehilangan pengaliran arus dan pensuisan yang rendah, serta membantu menambah baik kecekapan bekalan kuasa pensuisan.
Produk baharu ini ditempatkan dalam pakej TOLL yang membolehkan penyambungan Kelvin terminal punca isyarat untuk pemacu get. Pengaruh kearuhan dalam wayar punca bagi pakej boleh dikurangkan untuk menyerlahkan prestasi pensuisan berkelajuan tinggi MOSFET, yang menyekat ayunan semasa pensuisan.
Toshiba akan terus mengembangkan barisan siri DTMOSVI 600V dan produk siri DTMOSVI 650V yang sudah dilancarkan, serta menyokong pemuliharaan tenaga dengan mengurangkan kehilangan kuasa dalam bekalan kuasa pensuisan.
Perhatian:
[1] Setakat bulan Jun 2023.
Aplikasi
• Pusat data (bekalan kuasa pensuisan untuk pelayan dan sebagainya)
• Penyesuai kuasa bagi penjana fotovoltaik
• Sistem kuasa tidak terganggu
Ciri Produk
• Mencapai Dalam rintangan punca saliran yang rendah × cas saliran get dan membolehkan kecekapan bekalan kuasa pensuisan yang tinggi
http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=17215
No comments:
Post a Comment