TOSHIBA LANCAR MOSFET SILIKON KARBIDA 1200V YANG MENYUMBANG KEPADA BEKALAN KUASA BERKECEKAPAN TINGGI

_{Toshiba: sebuah MOSFET silikon karbida (SiC) 1200V TW070J120B untuk peralatan perindustrian termasuk bekalan kuasa berkapasiti besar. (Grafik: Business Wire)}

TOKYO, 19 Okt (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah melancarkan “TW070J120B,” sebuah MOSFET silikon karbida (SiC) 1200V untuk aplikasi perindustrian yang termasuk bekalan kuasa berkapasiti besar. Penghantaran bermula hari ini.

Siaran media ini mempunyai ciri-ciri multimedia. Lihat siaran lengkap di sini:
https://www.businesswire.com/news/home/20201018005077/en/

MOSFET berkuasa yang menggunakan SiC, satu bahan baharu, mencapai rintangan bervoltan tinggi, pensuisan berkelajuan tinggi, dan On-rintangan rendah berbanding dengan produk MOSFET, IGBT silikon konvensional (Si). Oleh itu, ia akan menyumbang kepada penggunaan kuasa yang lebih rendah dan pengecilan saiz sistem.

Dicipta dengan reka bentuk cip generasi kedua Toshiba^[¹], yang meningkatkan kebolehpercayaan MOSFET SiC, peranti baharu itu merealisasikan kapasitans input rendah, satu caj input get rendah, dan On-rintangan saliran-ke-sumber yang rendah. Dibandingkan dengan “GT40QR21,” transistor dwikutub  get tertebat silikon 1200V Toshiba (IGBT), ia menghentikan kehilangan pensuisan mati dengan kira-kira 80% dan masa pensuisan (masa jatuh) dengan kira-kira 70%, dan pada masa yang sama menyampaikan ciri-ciri On-voltan rendah dengan satu saliran arus 20A atau kurang^[²].

Voltan ambang get ditetapkan dalam julat tinggi 4.2V sehingga 5.8V, yang mengurangkan risiko kerosakan (menghidupkan atau mematikan yang tidak disengajakan). Penggabungan bagi sebuah diod penghalang SiC Schottky (SBD) dengan voltan hadapan rendah juga membantu untuk mengurangkan kehilangan kuasa.

MOSFET baharu itu akan menyumbang kepada kecekapan yang lebih tinggi dengan mengurangkan kehilangan kuasa di dalam aplikasi perindustrian, seperti penukar AC-DC berkapasiti besar, penyongsang fotovoltan, dan penukar DC-DC dwiarah berkapasiti besar, dan akan juga menyumbang kepada pengurangan saiz peralatan.

Nota:
[¹] Siaran berita Toshiba pada 30 Julai, 2020: “Struktur Peranti Baharu Toshiba Meningkatkan Kebolehpercayaan MOSFET SiC”
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html
[²] suhu ambien 25°C

Penggunaan

· Penukar AC-DC berkapasiti besar
· Penyongsang fotovoltan
· Penukar DC-DC dwiarah berkapasiti besar

Ciri-ciri

· Reka bentuk cip generasi kedua (SiC SBD terbina dalam)
· Voltan tinggi, kapasitans input rendah, caj get total rendah, On-rintangan rendah, voltan hadapan diod rendah, voltan ambang get tinggi:

V_DSS=1200V, C_iss=1680pF (jenis), Q_g=67nC (jenis), R_DS(ON)=70mΩ (jenis), V_DSF=-1.35V (jenis), V_th=4.2～5.8V

· Jenis peningkatan yang mudah untuk dikendalikan

http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=13871