TOSHIBA MENGELUARKAN DIOD PENGHALANG SCHOTTKY SIC 650V GENERASI KETIGA YANG MENYUMBANG KEPADA PERALATAN INDUSTRI YANG LEBIH CEKAP

 

Siri TRSxxx65H, diod perintang 650V SiC Schottky generasi ketiga. (Grafik: Business Wire) 

KAWASAKI, Jepun, 14 Julai (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah melancarkan "siri TRSxxx65H", iaitu generasi ketiga dan terkini ^[1] diod penghalang Schottky (SBD) silikon karbida (SiC) syarikat untuk peralatan industri. Penghantaran jumlah bagi 12 produk pertama, semua bervoltan 650V, bermula hari ini, dengan tujuh produk ditempatkan dalam pakej TO-220-2L dan lima produk dalam pakej DFN8×8.

Produk baharu tersebut menggunakan logam baharu dalam cip SBD SiC generasi ketiga yang mengoptimumkan struktur ^[2] penghalang simpang Schottky (JBS) produk generasi kedua. Produk ini mencapai voltan ke hadapan rendah peneraju industri^[3] sebanyak 1.2V (Biasa), 17% lebih rendah berbanding dengan 1.45V (Biasa) generasi sebelumnya. Produk ini juga menambah baik penggantian antara voltan ke hadapan dengan jumlah cas berkemuatan, serta antara voltan ke hadapan dengan arus songsang yang mengurangkan pelepasan kuasa dan menyumbang kepada kecekapan peralatan yang tinggi.

http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=17291