TOSHIBA MELANCARKAN MOSFET KUASA SALURAN N 100V YANG MENYOKONG PENGECILAN LITAR BEKALAN KUASA ELEKTRIK

 

Toshiba: "TPH3R10AQM" MOSFET Kuasa Saluran N 100V yang direka dengan proses generasi terkini Toshiba, U-MOS X-H. (Grafik: Business Wire)

– Menampilkan kawasan pengendalian selamat yang rendah Dalam Rintangan dan dikembangkan, menggunakan proses generasi terkini –

KAWASAKI, Jepun, 30 Jun (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan “TPH3R10AQM,” MOSFET kuasa saluran N 100V yang direka dengan proses generasi terkini Toshiba, U-MOS X-H. Produk menyasarkan aplikasi seperti litar pensuisan dan litar pertukaran panas^[1] pada talian kuasa elektrik kelengkapan industri yang digunakan untuk pusat data dan stesen pangkalan komunikasi. Penghantaran bermula pada hari ini.

TPH3R10AQM mempunyai punca saliran maksimum 3.1mΩ Dalam Rintangan yang terunggul dalam industri^[2], 16%^[2] lebih rendah daripada produk 100V Toshiba, “TPH3R70APL,” yang menggunakan proses generasi terdahulu. Melalui perbandingan yang sama, TPH3R10AQM telah mengembangkan kawasan pengendalian selamat sebanyak 76%^[3] menjadikannya sesuai untuk pengendalian mod linear. Mengurangkan Dalam Rintangan dan mengembangkan julat pengendalian linear dalam kawasan pengendalian selamat dengan pengurangan bilangan penyambungan selari. Tambahan pula, julat voltan ambang get ialah daripada 2.5V hingga 3.5V, menjadikan get itu berkemungkinan kecil mengalami kerosakan disebabkan oleh hingar voltan get.
Produk baharu tersebut menggunakan pakej SOP Awal(N) yang amat serasi dengan jejak.

Toshiba akan terus mengembangkan barisan MOSFET kuasa yang boleh meningkatkan kecekapan bekalan kuasa elektrik dengan mengurangkan kehilangan kuasa dan membantu mengurangkan penggunaan kuasa kelengkapan.

Aplikasi

·  Bekalan kuasa elektrik untuk kelengkapan komunikasi seperti di pusat data dan stesen pangkalan komunikasi
·  Bekalan kuasa elektrik pensuisan (Penukar DC-DC berkecekapan tinggi dan sebagainya)
 
Ciri Produk

·  Menampilkan Dalam Rintangan terunggul yang cemerlang dalam industri^[2] : R_DS(ON)=3.1mΩ (maksimum) (V_GS=10V)
·  Kawasan pengendalian selamat yang luas
·  Pengkadaran suhu saluran tinggi: T_ch (maksimum)=175°C 

Catatan::
[1] Litar untuk menyambung dan memutuskan komponen kepada sistem tanpa menutup sistem semasa kelengkapan sedang dikendalikan.
[2] Tinjauan Toshiba setakat bulan Jun 2023.
[3] Kelebaran denyut: t_w=10ms, V_DS=48V

http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=17261