Monday, December 23, 2019

IGBT DISKRET BAHARU TOSHIBA UNTUK LITAR RESONANS VOLTAN MENYUMBANG KEPADA PENGGUNAAN KUASA YANG LEBIH RENDAH DAN REKA BENTUK YANG LEBIH MUDAH BAGI PERALATAN


Table

Toshiba: sebuah IGBT diskret 1350V "GT20N135SRA" untuk digunakan dalam litar resonans voltan dalam dapur meja IH dan peralatan rumah yang lain. (Foto: Business Wire)


TOKYO, 23 Dis (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah melancarkan “GT20N135SRA,” sebuah IGBT diskret 1350V untuk digunakan di dalam litar resonans voltan dalam dapur meja IH, periuk nasi IH, ketuhar gelombang mikro dan peralatan rumah yang lain. Pengiriman bermula hari ini.

Siaran media ini mempunyai ciri-ciri multimedia. Lihat siaran lengkap di sini: https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/

GT20N135SRA mempunyai ciri-ciri sebuah voltan[1] tepuan pengumpul-pemancar bagi 1.75V dan sebuah voltan[2]  diod ke hadapan bagi 1.8V, masing-masing kira-kira 10% dan 21% lebih rendah, berbanding untuk produk semasa[3]. Kedua-dua IGBT dan diod itu telah meningkatkan ciri-ciri kehilangan pengaliran pada suhu tinggi (TC=100℃), dan IGBT baharu itu dapat membantu mengurangkan penggunaan kuasa peralatan. Ia juga mempunyai ciri-ciri sebuah rintangan terma simpang-ke-kes bagi 0.48℃/W (maksimum), kira-kira 26% lebih rendah daripada produk semasa[3], yang membolehkan reka bentuk terma yang lebih mudah.

IGBT baharu itu menahan arus litar pintas yang mengalir melalui kapasitor resonans apabila peralatan dihidupkan. Nilai puncak bagi arus litar[4] itu ialah 129A, kira-kira 31% pengurangan daripada produk semasa[3]. Oleh kerana kawasan operasinya yang selamat diperluaskan, ia menjadikan reka bentuk peralatan lebih mudah berbanding dengan produk semasa[3].

Penggunaan

Peralatan rumah (seperti dapur meja IH, periuk nasi IH dan ketuhar gelombang mikro) yang menggunakan litar resonans voltan

Ciri-ciri
  • Kehilangan pengaliran yang rendah:
    VCE(sat)=1.6V(jenis) (@IC=20A, VGE=15V, Ta=25℃)
    VF=1.75V (jenis) (@IF=20A, VGE=0V, Ta=25℃)
  • Rintangan terma simpang-ke-kes yang rendah: Rth(j-C)=0.48℃/W (maksimum)
  • Menahan arus litar pintas yang mengalir melalui kapasitor resonans apabila peralatan dihidupkan.
  • Kawasan operasi selamat yang luas
[1] Setakat Jun 2019, nilai diukur oleh Toshiba. (Keadaan ujian: IC=20A, VGE=15V, TC=100℃)
[2] Setakat Jun 2019, nilai diukur oleh Toshiba. (Keadaan ujian: IF=20A, VGE=0V, TC=100℃)
[3] Produk semasa Toshiba “GT40RR21”
[4] Setakat Jun 2019, nilai diukur oleh Toshiba. (Keadaan ujian: VCC=300V, VGG=15V, C=0.33μF, t=5μs, Ta=25℃)

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai produk baharu itu.
GT20N135SRA
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=GT20N135SRA

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai barisan IGBT Toshiba.
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/igbt-iegt/igbt.html

*Nama syarikat, nama produk, dan nama perkhidmatan adalah merupakan tanda perniagaan bagi syarikat mereka masing-masing.

Pertanyaan Pelanggan:
Jabatan Pemasaran & Jualan Peranti Kuasa
Tel: +81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

Maklumat di dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan dan maklumat perhubungan, adalah tepat pada tarikh pengumuman itu tetapi adalah tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Maklumat mengenai Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation menggabungkan kecergasan sebuah syarikat baharu dengan kebijaksanaan pengalaman. Sejak menjadi sebuah syarikat persendirian pada Julai 2017, kami telah mengambil tempat kami di kalangan syarikat peranti am yang terkemuka, dan menawarkan penyelesaian yang cemerlang kepada pelanggan dan rakan perniagaan kami di dalam semikonduktor diskret, sistem LSI dan HDD.

Seramai 19,000 orang pekerja kami di seluruh dunia berkongsi satu kesungguhan untuk memaksimumkan nilai produk kami, dan memberi penekanan kepada kerjasama erat dengan pelanggan untuk menggalakkan penciptaan bersama bagi nilai dan pasaran baharu. Kami berharap dapat membina di atas jualan tahunan yang kini melebihi 700 bilion yen (AS$6 bilion) dan untuk menyumbang kepada sebuah masa hadapan yang lebih baik untuk orang ramai di mana jua.
Perolehi maklumat lanjut mengenai kami di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Lihat versi sumber di businesswire.com:
https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/

Hubungi

Pertanyaan Media:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Jabatan Pemasaran Digital
Chiaki Nagasawa
Tel: +81-3-3457-4963
e-mel: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber : Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

No comments:

Post a Comment

DARI BAHAN API FOSIL KE MASA DEPAN HIJAU: OXFORD DAN EBC FINANCIAL GROUP BINCANG APA YANG MENGHALANG KITA

EBC Financial Group dan Jabatan Ekonomi Oxford University merungkai halangan kepada kemajuan iklim, meneroka cukai karbon, pembaharuan subsi...