 |
| Toshiba: SSM10N961L, MOSFET saliran umum saluran N dalam pakej baharu yang kecil dan nipis (Grafik: Business Wire) |
KAWASAKI, Jepun, 8 Nov (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan “SSM10N961L,” MOSFET saliran umum saluran N 30V, dalam rintangan rendah, sesuai untuk peranti dengan USB dan untuk melindungi pek bateri. Penghantaran bermula hari ini.
Sehingga kini, barisan MOSFET saliran umum saluran N Toshiba hanya tertumpu pada produk 12V, terutamanya untuk melindungi pek bateri ion litium telefon pintar. Pelancaran produk 30V akan mewujudkan julat pemilihan aplikasi yang lebih luas dan memerlukan voltan melebihi 12V, seperti pensuisan muatan untuk talian kuasa elektrik peranti pengecasan USB dan perlindungan pek bateri ion litium PC dan tablet.
Mewujudkan suis dua hala dengan sumber saliran rendah dalam rintangan (RDS(ON)) memerlukan dua MOSFET, iaitu sama ada MOSFET 3.3×3.3mm atau MOSFET 2×2mm, dengan RDS(ON)rendah. Produk baharu Toshiba menggunakan pakej TCSPAG-341501 yang baharu, kecil, nipis (3.37mm×1.47mm (typ.), t=0.11mm (typ.)) dan dilengkapi dengan ciri sumber-sumber rendah dalam rintangan (RSS(ON)) dengan 9.9mΩ (typ.) dalam konfigurasi saliran umum pakej tunggal
Penghantaran Kuasa USB (USB PD) yang menyokong bekalan kuasa yang bermula daripada julat sebanyak 15W (5V / 3A) hingga julat maksimum sebanyak 240W (48V / 5A) telah dibangunkan untuk peranti yang memerlukan bekalan kuasa tinggi. USB PD menetapkan fungsi pertukaran peranan untuk bertukar di antara bekalan kuasa dan sisi penerimaan serta memerlukan peranti pengecasan USB untuk menyokong bekalan kuasa dua hala supaya kedua-dua sisi dapat membekalkan dan menerima kuasa. Produk baharu tersebut merupakan MOSFET saliran umum saluran N yang menyokong bekalan kuasa dua hala dan mempunyai kawasan pemasangan yang kecil.
http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=17636
No comments:
Post a Comment